Productdetails:
|
Naam van het product: | Mos Gebiedseffect Transistor | Functie: | Snelle Omschakelingstijd |
---|---|---|---|
V DS: | 30V | 9.5 A: | (Vgs= 10V) |
12.9 mΩ: | (Vgs= 10V) | 19.3 mΩ: | (Vgs= 4.5V) |
Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoogspanningstransistor |
Snelle Mos van de Omschakelingstijd Gebiedseffect Transistor, de Transistor van de Machtsschakelaar
Mos Gebiedseffect Transistorbeschrijving
Mos Gebiedseffect de Transistor wordt gebruikt in vele voeding en algemene machtstoepassingen, vooral als schakelaars. Verschillend s omvat vlakmosfets, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs en andere verschillende merknamen.
Mos Gebiedseffect Transistoreigenschap
N- Kanaal P - Kanaal
Vds = 30V Vds = -30V
9.5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
12.9 mΩ (Vgs= 10V) 21,6 mΩ (Vgs= -10V)
19.3 mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 mΩ (Vgs= -4.5V)
geteste de Lawine van 100%
betrouwbaar en Ruw
Beschikbare halogeen Vrije en Groene Apparaten
(Volgzame RoHS)
Mos Gebiedseffect Transistortoepassingen
Synchrone Gelijkrichters
Draadloze Macht
H-brug Motoraandrijving
Het opdracht geven van en het Merken van tot Informatie
S
G170C03
Pakketcode
S: SOP8L
Datumcode
Nota: De loodvrije producten van HUAYI bevatten vormende samenstellingen/matrijs vastmaken materialen en 100%-steenblik Termi-
De natie eindigt; welke met RoHS volledig volgzaam zijn. De loodvrije producten van HUAYI ontmoeten of overschrijden loodvrij vereisen
ments van IPC/JEDEC j-std-020 voor MSL-classificatie bij loodvrije piekterugvloeiingstemperatuur. HUAYI bepaalt
„Groen“ om loodvrij (volgzame RoHS) en vrij halogeen te betekenen (Br of Cl overschrijden in gewicht binnen geen 900ppm
het homogene materiaal en het totaal van Br en Cl overschrijden in gewicht geen 1500ppm).
HUAYI be*houdt zich het recht voor veranderingen, correcties, verhogingen, wijzigingen, en verbeteringen aan dit PR aan te brengen
oduct en/of aan dit document op elk ogenblik zonder voorafgaande kennisgeving.
Absolute Maximumclassificaties
Typische Werkende Kenmerken n-Mosfet
Contactpersoon: David