Productdetails:
|
Naam van het product: | mosfet machtstransistor | Type: | N Kanaal |
---|---|---|---|
Modelnummer: | 5N20DY AAN-252 | Afvoerkanaal-bronvoltage: | 200 V |
Poort-bronvoltage: | ±20V | Toepassingen: | LEIDENE aandrijving |
Hoog licht: | n kanaalmosfet transistor,hoogspanningstransistor |
N Kanaalmosfet de Kringsomschakeling van de Machtstransistor 2A 600V voor LEIDENE Aandrijving
Mosfet de Beschrijving van de Machtstransistor
De geavanceerde geul van AP50N20D gebruik
technologie om uitstekende RDS () en lage poortlast te verstrekken.
Bijkomende MOSFETs kunnen worden gebruikt om een vlak verplaatste hoge zijschakelaar, en voor een gastheer van andere te vormen
Mosfet de Algemene Eigenschappen van de Machtstransistor
V DS =200V, I D =5A
R DS () <520m>
Mosfet de Toepassing van de Machtstransistor
Ladingsomschakeling
De Noodvoeding hard van geschakelde en hoge frequentiekringen
Pakket dat en tot Informatie merkt opdracht geeft
Product-id | Pak | Het merken | Qty (PCs) |
5N20D | Aan-252 | 5N20D | 3000 |
5N20Y | Aan-251 | 5N20Y | 4000 |
Absolute Maximumclassificaties (anders genoteerde TA=25℃unless)
Parameter | Symbool | Grens | Eenheid |
Afvoerkanaal-bronvoltage | VDS | 200 | V |
Poort-bronvoltage | VGS | ±20 | V |
Huidig-Ononderbroken afvoerkanaal | Identiteitskaart | 5 | A |
Huidig-Gepulseerd afvoerkanaal (Nota 1) | IDM | 20 | A |
Maximummachtsdissipatie | PD | 30 | W |
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier | TJ, TSTG | -55 tot 150 | ℃ |
Thermisch Kenmerk
Thermische verbinding-aan-Omringende Weerstand, (Nota 2) | RθJA | 4.17 | ℃/W |
Elektrokenmerken (anders genoteerde TA=25℃unless)
Parameter | Symbool | Voorwaarde | Min | Type | Maximum | Eenheid |
Van Kenmerken | ||||||
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
Nul het Afvoerkanaalstroom van het Poortvoltage | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
Poort-lichaam Lekkagestroom | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Op Kenmerken (Nota 3) | ||||||
Het Voltage van de poortdrempel | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
Weerstand de afvoerkanaal-bron van de op-Staat | RDS () | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
Voorwaartse Transconductance | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
Dynamische Kenmerken (Note4) | ||||||
Inputcapacitieve weerstand | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
Outputcapacitieve weerstand | Coss | - | 90 | - | PF | |
Omgekeerde Overdrachtcapacitieve weerstand | Crss | - | 3 | - | PF | |
Omschakelingskenmerken (Nota 4) | ||||||
De Tijd van de inschakelenvertraging | td () |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | NS |
De Tijd van de inschakelenstijging | RT | - | 12 | - | NS | |
De Tijd van de productvertraging | td (weg) | - | 15 | - | NS | |
De Tijd van de productdaling | tf | - | 15 | - | NS | |
Totale Poortlast | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | nC | |
Poort-bronlast | Qgs | - | 2.5 | - | nC | |
Poort-afvoerkanaal Last | Qgd | - | 3.8 | - | nC | |
Afvoerkanaal-brondiodekenmerken | ||||||
Diode Voorwaarts Voltage (Nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1.2 | V |
Diode Voorwaartse Stroom (Nota 2) | IS | - | - | 5 | A |
Nota's:
Symbool |
Afmetingen in Millimeter | Afmetingen in Duim | ||
Min. | Max. | Min. | Max. | |
A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
A1 | 0,000 | 0,127 | 0,000 | 0,005 |
B | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
c | 0,460 | 0,580 | 0,018 | 0,023 |
D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
D1 | 5,100 | 5,460 | 0,201 | 0,215 |
D2 | TYPE 0,483. | TYPE 0,190. | ||
E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
e | 2,186 | 2,386 | 0,086 | 0,094 |
L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
L1 | 2.900 TYPE. | TYPE 0,114. | ||
L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
L3 | 1.600 TYPE. | TYPE 0,063. | ||
L4 | 0,600 | 1,000 | 0,024 | 0,039 |
Φ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0,051 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
V | 5.350 TYPE. | TYPE 0,211. |
Contactpersoon: David